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  • 联系人:
    张先生
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    销售
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    广东 深圳 福田区 深圳市福田区中航路国利大厦A座1008室
品牌:WG型号:WGD882功率:中

WG全系列代理WGD882

【承诺】:本公司产品是***原装正品,符合ROHS要求!

深圳市群方电子有限公司真诚为您服务!★★★★★

热情为全国各地客户提供各种电子元器件的配套服务!!

深圳市群方子有限公司建于2005年,是一家集代理和一体的子元器件的公司,公司从建以来一直致力于为电器、源及数的元器件配套服,凭着优质量、定的供渠道和***的售后服体系,得了广大客和市的信,并与国内外众多的生厂家建立了良好的合作系。公司从事经营工、民用、通信、算机、医域,包括普通、特、高精度的各类电子元器件,其中主导产电源配套的二三极管、管及IC.有着丰富的经验专业的素,高度敬精神,能提供最优质专业的服

    我公司代理经销FAIRCHTLD(仙童)、万裕SAMXONWSIDOM(威士顿)UTC(友顺)、墨濎、士兰微、FH(飞虹)、强茂、BZ(博照)DIODESFITIPOWER(天钰)、EVERLTGHT(亿光)、ANPEC(茂达)、AME(安茂微)、FM(复旦微)、矽力杰、OB(昂宝)、 ON(安森美)IRTIMPSNXPVISHAY等品牌的元器件IC,热忱为广大生产商提供服务,欢迎前来洽谈订购!

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WG代理
公司简介:WG设备生产的瞬变电压压制(电视)产品专门设计用于保护电子系统从***影响的闪电,静电放电(简称ESD)、核电磁脉冲(NEMP)和感应开关。用25年的工程设计和制造经验的设备ProTek提供应用相关的电视机保护方案对于任何种类的电子系统如、通讯、工业、军事和商业应用。


基于单片机的炭黑复合导电材料的电阻/温度测量系统

随着电子工业及信息技术等产业的迅速发展,对于具有导电功能的高分子材料的需求越来越迫切。导电复合材料具有质量轻、无锈蚀、易于加工成各种复杂形状,尺寸稳定性好,电导率在较大范围内可调,易于大批量生产以及价格便宜等特点,因此广泛应用于抗静电、微波吸收、自控温发热材料、电磁波屏蔽等领域。其中,炭黑复合导电材料是目前应用***,用量的一种。

单片机通过热电偶放大器芯片采集当前的温度值;通过电压转换电路采集电阻值,送到FM24C02以备查询,LCD显示当前的电阻和温度情况,使用者可以方便地读出电阻和温度的变化,还可以通过串行口和上位机上进行通信。

lAD595的工作原理与应用

AD595是AD公司生产的一款热电偶放大器,将仪器放大器和热电偶冷接头补偿器全部集成在1块单片芯片上,产生一个10 mV/℃的输出。管脚的可选择性使其可以作为一个线性放大补偿器或者是设置工作点控制器的开关输出。

AD595包含一个热电偶故障报警,如果热电偶的一脚或双脚开路,可以显示报警信号。报警输出有很多种灵活的方式,包括TTL形式。

AD595能够用一个单端+5 V电压供电。如果用负电压,则可以测量O℃以下的温度。为了使其自身发热最小化,一个无负载的AD594/AD595的总电流是160μA,当然也可以把5 mA以上的电流传送给负载。

1.1温度稳定性

每个AD595都测试过在不同温度时对零点进行测量时的温度误差。冷接头补偿器的误差、放大器的偏移量以及增益误差等综合起来决定了AD595在额定环境温度范围内的输出稳定性。显示了AD595的测量误差分布范围。

1.2热环境效应

AD595本身固有的低能量耗散以及低热阻抗的封装使得它由于自身发热引起的误差可以忽略。例如,在静止的空气中,芯片的环境热阻抗大约为80℃/W(D型封装)。在额定的800μW的耗散下,在自由的空气中自身发热误差小于0.065℃。浸没于液态的氟中,热阻抗大约为40℃/W,使得自身发热误差大约为O.032℃。如图2为AD595的测量误差分布。

单片机采集温度值时,AD595的***脚感受炭黑导电材料的温度变化;第8脚输出与温度对应的电压变化,变化系数为10 mV/℃,该电压经过LM358放大送至V/F单元进行转换,之后单片机把采集信息存放在FM24C04中。

2V/F转换器件LM331

LM331是美国NS公司生产的性价比较高的集成芯片,可作精密频率电压转换器使用。LM331采用了新的温度补偿能隙基准电路,在整个工作温度范围内和低到4.OV电源电压下都有极高的精度;同时,它的动态范围宽,可达100 dB;线性度好,非线性失真小于O.01%;工作频率低,到O.1 Hz时还有较好的线性;变换精度高,数字分辨率可达12位;外接电路简单,只需接入几个外部元件就可方便构成V/F或F/V等变换电路,并且容易***转换精度。

3单片机AT89S51及ISP接口

AT89S51单片机兼容MCS51微控制器,但比早期的AT89C51做了改进,内带看门狗定时器,无需外加监控芯片,通过软件设置就可***系统可靠工作,并且支持在系统可编程,不需要从电路板上取下器件就可对空白器件进行编程。

单片机采集电阻信号时,通过一个恒流源电路把炭黑的电阻转换成电压值,放大后转换成频率信号送至AT89S51,单片机把采集信息存放在FM24C04中以备查询。

AT89S51的ISP有串口和并口2种方式,设计中采用并行下载接口方式,其与单片机的接口电路如图5所示,该电路下载速度快,工作稳定。采用Easy51Prov2.O软件即可完成在线编程。

WGD882***现货代理WG

一种高效率碳化硅肖特基二极管在电源中的应用

功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过 75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定,能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。

主动PFC有两种通用模式:使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到 300W之间的应用;CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时,PFC具有成本效益,因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高,因此实际上不增加额外的成本。

主动PFC是服务器系统架构(SSI)一致性的要求:供电模块应该采用带主动功率因数校正的通用电源输入,从而可以减少谐波,符合 EN61000-3-2和JEIDAMITI标准。这就需要高功率密度应用能够提供较宽的输入电压范围(85~265V),从而给PFC级电路使用的半导体提出了特殊的要求。

在输入85V交流电压时,必须有***的Rdson,因为传导热损失与输入电压的3次方成反比关系。这种MOSFET管的高频工作能够***减少升压抑制。因此晶体管的快速开关特性是必须的。升压二极管应该具有快速开关、低Vf和低Qrr特性。为了减少MOSFET在接通时的峰值电流压力,低Qrr是必须的。如果没有这一特性,升压MOSFET将增加温度和Rdson,导致更多的功率损失,从而降低效率。在高功率密度应用中效率是取得较小体积(30W/cm3英寸)和减少无源器件尺寸的关键因素。因此高的开关频率***。

为了设计效率和外形尺寸***的CCM PFC,升压二极管还必须具备以下一些特性:较短的反向恢复和正向恢复时间;最小的储存电荷Q;低的漏电流和***的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要,它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。

由于SiC肖特基二极管中缺少正向和反向恢复电荷,因此可以用更小的升压MOSFET。这样做除了成本得到降低外,器件温度也会降低,从而使SMPS具有更高的可靠性。

由于SiC肖特基二极管的开关行为独立于正向电流(Iload)、开关速度(di/dt)和温度,因此这种二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现的开关工作频率(可达1MHz),从而可以使用更小体积的无源器件。

***的开关损耗和低的Vf能使用更小的散热器或风扇。另外,由于具有正的温度系数,SiC肖特基二极管能够非常方便地并行放置。

WGD882

thinQ!2G向理想的高电压二极管迈进

***IFX SiC肖特基二极管(thinQ!2G)融合了普通SiC肖特基二极管和双极pn结构,从而具有非常高的浪涌电流承受能力和稳定的过压特性。

由于改进的浪涌电流能力使得在***应用中采用***标称电流的二极管进行设计成为可能。到目前为止,二极管的浪涌电流额定值仍是重要的设计考虑因素。已经具有良好浪涌电流标称值的6A二极管IFSM=21A@10ms的thinQ!被***增强为IFSM 49A@10ms的thinQ!2G。

对实际应用(6A IFX代SiC肖特基二极管、PFC、宽范围)进行的测试证实了这些改进:6A代SiC肖特基二极管足以用来处理启动时的浪涌电流,结温会升高到 50℃。这种情况非常接近由于肖特基特性而引起的热失控,如图2所示。在通常情况下可以使用更小体积的二极管。

新的4A thinQ!2G能够更好地处理同一应用中的启动状况。温度只升高到35℃。由于是双极特性,因此到达结温时不会产生热量失控。设计工作于正常情况的thinQ!2G具有足够的余量来处理异常情况。

稳定的过压特性

除了改进的浪涌电流功能外,融合pn肖特基概念的thinQ!2G能够承受实际的雪崩电流击穿条件。这对目前市场上的任何其它SiC肖特基二极管来说都是不可能的。这是低电阻率和合并肖特基结构中p岛的设计造成的,它能***在肖特基接口处的电场到达破坏性值前开始雪崩

正温度系数使thinQ!2G具有了稳定的雪崩和过压行为,并使直接与电力网连接的电信和服务网中的PFC级应用在瞬时脉冲和过压状态下具有更高的可靠性、抗扰性和鲁棒性。

在PFC级中的瞬态变化期间,过压可以被500~550V左右的大电容(对于常用的450V大电容)齐纳击穿。在这种应力条件下,thinQ!2G能够远离危险的过压行为。这种改进的过压和浪涌电流能力可以使二极管的压力减小,使应用具有更高的可靠性。

SiC肖特基二极管——适合各种供电条件的解决方案

利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料,能制造出接近理想功能特性的升压二极管,并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。这对服务器和高端PC电源来说尤其重要,因为效率提高的要求变得越来越重要,特别是要满足80plus等法规要求时。

thinQ!2G在这些重要性能的基础上增加了独特的过流和过压能力。浪涌电流能力有助于设计稳态工作时的额定电流值,由于可以采用***额定电流值的二极管,因此具有成本优势。过压特性在电信和无线基础应用等苛刻环境中非常重要。在这些应用中,能够克服过压尖峰和异常线路状态并由此提高可靠性的健壮能力是必须的。

通过使用能够提供***开关损耗的SiC二极管来提高效率在UPS和太阳能逆变器等系统中经常会用到,在这些系统中每次损耗的减少都能直接带来良好的回报。针对日益提高的效率目标,我们希望碳化硅二极管的应用能转移到***的功率级别:利用thinQ!2G可以满足更多的需要更高环境温度、更高器件温度和更高可靠性的应用。

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T3G(T3G)

中文名称:北京天科技有限公司

公司简介:天科技是一家独立的TD-SCDMA终端核心技术设计公司,在3G无线通信领域为终端设备制造商和手机设计公司提供TD-SCDMA终端核心技术产品及支持,包括终端芯片组、协议栈软件、终端参考设计及客户化技术支持等。


TDKSemiconductor Corporation(TDK)

中文名称: TDK

公司简介:TDK Semiconductor专注于通讯IC市场,特别是数据传输领域,包括高速网络、远程数据处理终端和卫星电视机顶盒。TDK Semiconductor约二十年前开始生产IC,直到1996年还是Silicon System,Inc.的通讯产品分部,1989年被TDK收购而成为TDK集团公司的一部分。目前该公司在网络产品、嵌入系统产品、多媒体产品等领域确立了***。TDK Semiconductor公司总部设在美国加州Tustin,在加州、日本八幡设有多个设计中心,拥有全球性的销售网络,产品由美国和远东的代工服务商生产。

公司产品在网络产品、嵌入系统产品、多媒体产品等领域确立了***。


TEAPO(TEAPO)

中文名称:智宝电子

公司简介:智宝电子 早期为声宝公司之电解电容器制造部门,1978年独立成为智宝电子股份有限公司,为台湾最早成立,规模且与日本电容器技术接轨的电解电容器大厂之一;近来致力于制程改良、精减成本、规模效益***,是一专业电容器制造大厂。全国家 IECQ 合格工厂,通过 ***-9002 及QS-9000认证,产品***世界60多国,并获各区域安规认证。 世昕企业 成立于1981年,是目前大中华地区上下游整合最完整的公司之一,也是目前仍投入较多研发经费、致力发展新产品的公司。 2005年10月 智宝与世昕合并,成为大中华地区大铝质电解电容之研发、制造公司。


ThalerCorporation(Thaler)

中文名称:

公司网址/

公司简介:Thaler公司1983年成立,总部设在美国亚利桑那州的Tucson,专门设计、生产商用高精度电子电路、空间飞行器用抗辐射产品和航空、油井勘探用高温产品。Thaler公司的高精度产品应用于某些高***度的网络,在这些网络中要求原始误差低于0.01%,温度漂移不超过0.05ppm/OC。目前主要高精度产品有:ADC、电压参考(VR)和正弦波参考(SWR)。可提供三种ADC,精度16-26bit,转换速率从0.25msec到2048msec,总误差从0.0003%至0.0005%。VR产品超过75种,输出电压从±1.5V 到 ±15V,原始误差为0.01%,采用特殊军用工艺制造。有两种SWR式样,提供7.071Vrms输出,原始误差0.05%或1.0%。Thaler公司所有的产品都有商用、工业用/商用、军用三种。

公司产品专门设计、生产商用高精度电子电路、空间飞行器用抗辐射产品和航空、油井勘探用高温产品

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